图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 NTR4170N |
| 文档 |
Copper Wire 26/May/2009 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品更改通知 | Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009 |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | - |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 55 mOhm @ 3.2A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 1.4V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 4.76nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 432pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 780mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 3SOT-23 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 2.4 A |
| RDS -于 | 55@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±12 V |
| 典型导通延迟时间 | 6.4 ns |
| 典型上升时间 | 9.9 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 15.1 ns |
| 典型下降时间 | 3.5 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±12 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | SOT-23 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 55@10V |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | SOT-23 |
| 最大功率耗散 | 780 |
| 最大连续漏极电流 | 2.4 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1.4V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 55 mOhm @ 3.2A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 780mW |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 432pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 4.76nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | NTR4170NT1GOSCT |
| 类别 | Power MOSFET |
| 外形尺寸 | 3.04 x 1.4 x 1.01mm |
| 身高 | 1.01mm |
| 长度 | 3.04mm |
| 最大漏源电阻 | 110 mΩ |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 1.25 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | SO-23 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 4.76 nC @ 4.5 V |
| 典型输入电容@ VDS | 432 pF @ 15 V |
| 宽度 | 1.4mm |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 12 V |
| 连续漏极电流 | 4 A |
| 正向跨导 - 闵 | 8 S |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 64 mOhms |
| 功率耗散 | 1.25 W |
| 封装/外壳 | TO-236 |
| 上升时间 | 9.9 ns |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 3.5 ns |
| 漏极电流（最大值） | 4 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �12 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.055 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 30 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| Continuous Drain Current Id | :4A |
| Drain Source Voltage Vds | :30V |
| On Resistance Rds(on) | :45mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :1V |
| No. of Pins | :3 |
| Weight (kg) | 0 |
| Tariff No. | 85412100 |
| associated | 80-4-5 |
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